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PN结构直流电源半导体的特性之二
日期：[2014-07-21 08:09:13]   共阅[1348]次
PN结构的单向导电性是许多半导体器件的理论依据。进一步分析可以知道，流过PN结的正向电流是在外加电场的作用下，由多数载流子的运动形成的。所以，PN结的正向电流随着直流电源电压增大而增大。流过PN结的反向电流，是在反向的作用下由少数载流子的运动形成的。而少数载流于是出于热力动产生的，数目很少，所以反向电流很小。并且反向电流受温度影响很大，环境温度愈高，热运动产生的少数载流子就愈多，在反向电压作用下流过的反向电流也就愈大。
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