普通硅二极臂的典型密度为每立方厘米有265个杂质咏予。若掺杂密度提高到每立方厘米512个杂质原子时，则这个PN结的空问电荷区中的离子密度就增加了。在外加反向电压的作用下，直流电源上的电场强度很高，可选到2×07伏。
这个强电场可直接把电子从共价键中拉出来，产生大量的空穴电子对，从而将这个PN结向击穿。这种击穿称为齐纳击穿。发生齐纳击穿前，一定要串联适当的阻流电阻R将被反向击穿的硅二板管的电流限制在某一安全值以下，而这种反向击穿也是一种健康的、稳压督督全部安特性曲线可为电子技术所利用的正常工作状态。如果没有预先的限流措施，则这个管子一旦被击穿后，它的反向电流就将猛烈增长，由原来可以自动恢复的齐纳击穿顷刻问发展为不可逆转的热击穿，将管子烧毁。
所以只需稍微增加外施的反向电压在安全的齐纳击穿范围就可大量增加管子的反向电流。这种二极管，反向击穿伏安特性曲线的恒压部段，要比昔通二授臂的正向伏安特性曲线陡峭很多。因此，大家就利用这种二极管的反向击穿恒压部段作为一种简单的电压基准，而称它为齐纳二极管或简称弃纳管或稳压管。
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